ROHM SEMICONDUCTOR
Транзистор 2SA2018E3HZGTL
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- PNP
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 12 V
- Collector current
- 0.5 A
- Power dissipation
- 0.15 W
- Current gain
- 270 A
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%18,50 ₽
Сумма · с НДС 22%13 357,00 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 722 | 18,50 ₽ | |
| от 1000 | 16,95 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | 2SA2018E3HZGTL |
|---|---|
| Производитель | ROHM SEMICONDUCTOR |
| Type of transistor | PNP |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 12 V |
| Collector current | 0.5 A |
| Power dissipation | 0.15 W |
| Current gain | 270 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Частота | 260 MHz |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: PNP; bipolar; 12V; 500mA; 150mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.