Антава

NEXPERIA

Транзистор 2N7002PW,115

2N7002PW,115
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.24 A
Pulsed drain current
1.2 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 18 305 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%39,64 ₽

Сумма · с НДС 22%39,64 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 139,64 ₽
от 1027,39 ₽
от 5019,14 ₽
от 10016,42 ₽
от 20014,11 ₽
от 50011,24 ₽
от 10009,53 ₽
от 15008,69 ₽
от 30007,44 ₽
от 90005,98 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителя2N7002PW,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.24 A
Pulsed drain current1.2 A
Рассеиваемая мощность0.26 W
КорпусSC70, SOT323
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A; 0.26W

Документация

Документы пока не предоставлены.