Антава

NEXPERIA

Транзистор 2N7002PV,115

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.25A
Pulsed drain current
1.2A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя2N7002PV,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.25A
Pulsed drain current1.2A
Power dissipation0.5W
КорпусSOT666
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.25A; Idm: 1.2A

Документация

Документы пока не предоставлены.