Антава

NEXPERIA

Транзистор 2N7002P,215

2N7002P,215
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.28 A
Pulsed drain current
1.2 A

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 131 454 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%32,29 ₽

Сумма · с НДС 22%32,29 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 132,29 ₽
от 1021,65 ₽
от 5015,16 ₽
от 10013,16 ₽
от 15012,18 ₽
от 5009,23 ₽
от 15007,14 ₽
от 30006,10 ₽
от 90005,60 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителя2N7002P,215
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.28 A
Pulsed drain current1.2 A
Power dissipation0.42 W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW

Документация

Документ производителя