NEXPERIA
Транзистор 2N7002P,215
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- Trench
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 0.28 A
- Pulsed drain current
- 1.2 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 131 454 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%32,29 ₽
Сумма · с НДС 22%32,29 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 32,29 ₽ | |
| от 10 | 21,65 ₽ | |
| от 50 | 15,16 ₽ | |
| от 100 | 13,16 ₽ | |
| от 150 | 12,18 ₽ | |
| от 500 | 9,23 ₽ | |
| от 1500 | 7,14 ₽ | |
| от 3000 | 6,10 ₽ | |
| от 9000 | 5,60 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | 2N7002P,215 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | Trench |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 0.28 A |
| Pulsed drain current | 1.2 A |
| Power dissipation | 0.42 W |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.8nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.