Антава

NEXPERIA

Транзистор 2N7002NXBKR

2N7002NXBKR
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.17 A
Pulsed drain current
0.9 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 147 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%20,89 ₽

Сумма · с НДС 22%20,89 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 120,89 ₽
от 515,20 ₽
от 1013,30 ₽
от 1008,36 ₽
от 5006,25 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителя2N7002NXBKR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.17 A
Pulsed drain current0.9 A
Power dissipation0.31 W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance5.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.17A; Idm: 0.9A; 0.31W

Документация

Документы пока не предоставлены.