Антава

NEXPERIA

Транзистор 2N7002NXAKR

2N7002NXAKR
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.12 A
Pulsed drain current
0.76 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя2N7002NXAKR
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.12 A
Pulsed drain current0.76 A
Power dissipation0.265 W
КорпусSOT23, TO236AB
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.43nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.