Антава

NEXPERIA

Транзистор 2N7002KQBZ

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
720mA
Pulsed drain current
2.9A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя2N7002KQBZ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current720mA
Pulsed drain current2.9A
Power dissipation0.42W
КорпусDFN1010D-3, SOT1215
Gate-source voltage±16V
On-state resistance0.85Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge610pC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 720mA; Idm: 2.9A; 420mW

Документация

Документы пока не предоставлены.