Антава

VISHAY

Транзистор 2N7002K-T1-GE3

2N7002K-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.19 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.14 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 817 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%56,98 ₽

Сумма · с НДС 22%56,98 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 156,98 ₽
от 1028,30 ₽
от 5022,79 ₽
от 10020,53 ₽
от 50015,35 ₽
от 30009,61 ₽
от 60007,37 ₽
от 90006,86 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителя2N7002K-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.19 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.14 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23

Документация

Документ производителя