Антава

ONSEMI

Транзистор 2N7002ET7G

2N7002ET7G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.22A
Pulsed drain current
1.2A
Power dissipation
0.42W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя2N7002ET7G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.22A
Pulsed drain current1.2A
Power dissipation0.42W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.81nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23

Документация

Документ производителя