Антава

ONSEMI

Транзистор 2N7002ET1G

2N7002ET1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.22 A
Pulsed drain current
1.2 A
Рассеиваемая мощность
0.42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 090 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%32,44 ₽

Сумма · с НДС 22%32,44 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 132,44 ₽
от 1020,36 ₽
от 5014,16 ₽
от 10011,91 ₽
от 5008,60 ₽
от 10007,68 ₽
от 15007,17 ₽
от 30006,43 ₽
от 60005,78 ₽
от 150005,01 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителя2N7002ET1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.22 A
Pulsed drain current1.2 A
Рассеиваемая мощность0.42 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.81nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23

Документация

Документ производителя