Антава

VISHAY

Транзистор 2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.24A
Pulsed drain current
1.3A
Power dissipation
0.22W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя2N7002E-T1-GE3
ПроизводительVISHAY
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.24A
Pulsed drain current1.3A
Power dissipation0.22W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23

Документация

Документ производителя