Антава

NEXPERIA

Транзистор 2N7002BKW,115

2N7002BKW,115
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.215A
Pulsed drain current
1.2A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя2N7002BKW,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.215A
Pulsed drain current1.2A
Power dissipation0.33W
КорпусSC70, SOT323
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A; ESD

Документация

Документ производителя