NEXPERIA
Транзистор 2N7002BKS,115
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Технология
- Trench
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 0.215 A
- Pulsed drain current
- 1.2 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 10 709 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%50,78 ₽
Сумма · с НДС 22%50,78 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 50,78 ₽ | |
| от 10 | 31,60 ₽ | |
| от 25 | 25,65 ₽ | |
| от 50 | 22,04 ₽ | |
| от 100 | 19,09 ₽ | |
| от 500 | 14,20 ₽ | |
| от 1000 | 12,58 ₽ | |
| от 3000 | 10,63 ₽ | |
| от 6000 | 9,69 ₽ | |
| от 9000 | 9,22 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | 2N7002BKS,115 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Технология | Trench |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 0.215 A |
| Pulsed drain current | 1.2 A |
| Power dissipation | 445 mW |
| Корпус | SC88, SOT363, TSSOP6 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.6nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.