NEXPERIA
Транзистор 2N7002BK,215
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- Trench
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 0.245 A
- Pulsed drain current
- 1.2 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 16 572 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%13,03 ₽
Сумма · с НДС 22%13,03 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 13,03 ₽ | |
| от 10 | 9,86 ₽ | |
| от 100 | 8,11 ₽ | |
| от 500 | 7,65 ₽ | |
| от 1000 | 7,09 ₽ | |
| от 3000 | 6,77 ₽ | |
| от 15000 | 6,08 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | 2N7002BK,215 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | Trench |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 0.245 A |
| Pulsed drain current | 1.2 A |
| Рассеиваемая мощность | 1.2 W |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 0.6nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.