ONSEMI
Транзистор 2N7000TA
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- DMOS
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 0.11 A
- Pulsed drain current
- 1 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 649 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%102,71 ₽
Сумма · с НДС 22%102,71 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 102,71 ₽ | |
| от 5 | 67,75 ₽ | |
| от 10 | 57,84 ₽ | |
| от 100 | 35,68 ₽ | |
| от 500 | 26,85 ₽ | |
| от 1000 | 23,97 ₽ | |
| от 2000 | 21,80 ₽ | |
| от 6000 | 20,72 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | 2N7000TA |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | DMOS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 0.11 A |
| Pulsed drain current | 1 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.4 W |
| Корпус | TO92 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 5 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.