Антава

ONSEMI

Транзистор 2N7000

2N7000
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
DMOS
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.2 A
Pulsed drain current
0.5 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 9 617 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%89,97 ₽

Сумма · с НДС 22%89,97 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 189,97 ₽
от 572,73 ₽
от 1064,85 ₽
от 5047,42 ₽
от 10041,80 ₽
от 20036,74 ₽
от 40032,24 ₽
от 50030,93 ₽
от 100027,18 ₽
от 500025,87 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителя2N7000
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияDMOS
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.2 A
Pulsed drain current0.5 A
Рассеиваемая мощность0.4 W
КорпусTO92
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagebulk
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92

Документация

Документ производителя