ONSEMI
Транзистор 2N5551TA
- Type of transistor
- NPN
- Polarisation
- bipolar
- Collector-emitter voltage
- 160 V
- Collector current
- 0.6 A
- Рассеиваемая мощность
- 0.625 W
- Корпус
- TO92 Formed
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 541 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%54,96 ₽
Сумма · с НДС 22%54,96 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 54,96 ₽ | |
| от 10 | 33,34 ₽ | |
| от 50 | 25,28 ₽ | |
| от 100 | 22,08 ₽ | |
| от 500 | 15,22 ₽ | |
| от 1000 | 12,46 ₽ | |
| от 2000 | 9,80 ₽ | |
| от 4000 | 9,32 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | 2N5551TA |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | NPN |
| Polarisation | bipolar |
| Collector-emitter voltage | 160 V |
| Collector current | 0.6 A |
| Рассеиваемая мощность | 0.625 W |
| Корпус | TO92 Formed |
| Current gain | 80...250 |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Частота | 100 MHz |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.