MICROCHIP TECHNOLOGY
Транзистор 2N5116UB
Фото уточняется
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- 30V
- Drain current
- 25mA
- Power dissipation
- 0.5W
- On-state resistance
- 175Ω
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | 2N5116UB |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | 30V |
| Drain current | 25mA |
| Power dissipation | 0.5W |
| On-state resistance | 175Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; 30V; 25mA; 500mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.