MICROCHIP
Транзистор 2N5114UB
ТранзисторИзображение корпуса
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Drain-source voltage
- 30 V
- Drain current
- 90 mA
- Рассеиваемая мощность
- 0.5 W
- Gate-source voltage
- 30 V
- On-state resistance
- 75 Ω
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | 2N5114UB |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Drain-source voltage | 30 V |
| Drain current | 90 mA |
| Рассеиваемая мощность | 0.5 W |
| Gate-source voltage | 30 V |
| On-state resistance | 75 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; 30V; 90mA; 500mW
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.