Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 25P06

25P06
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-32A
Power dissipation
50W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя25P06
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-32A
Power dissipation50W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge44nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -32A; 50W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.