Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 2302

2302
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
20 V
Drain current
4.5 A
Рассеиваемая мощность
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 951 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%117,25 ₽

Сумма · с НДС 22%117,25 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1117,25 ₽
от 1084,64 ₽
от 2545,51 ₽
от 10019,66 ₽
от 50011,80 ₽
от 100010,13 ₽
от 30008,72 ₽
от 90007,91 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителя2302
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage20 V
Drain current4.5 A
Рассеиваемая мощность1 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±10 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.5A; 1W; SOT23

Документация

Документ производителя