Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 2301

2301
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20V
Drain current
-3A
Power dissipation
1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя2301
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20V
Drain current-3A
Power dissipation1W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.