MICROCHIP TECHNOLOGY
Диод 1N8171E3
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.15kW
- Max. off-state voltage
- 58V
- Breakdown voltage
- 64.6V
- Semiconductor structure
- unidirectional
- Монтаж
- THT — в отверстия
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | 1N8171E3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.15kW |
| Max. off-state voltage | 58V |
| Breakdown voltage | 64.6V |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Number of channels | 1 |
| Рабочая температура | -55...175°C |
| Ёмкость | 4pF |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 0.15kW; 64.6V; unidirectional; Ch: 1; -55÷175°C; 4pF
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.