MICROCHIP
Диод 1N8163USE3
ДиодИзображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 0.15 kW
- Max. off-state voltage
- 28 V
- Breakdown voltage
- 31.4 V
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Количество каналов
- 1
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | 1N8163USE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 0.15 kW |
| Max. off-state voltage | 28 V |
| Breakdown voltage | 31.4 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Количество каналов | 1 |
| Рабочая температура | -55...175 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS+FRD; 300V; 150W; QuadroMELF; Ubr: 31.4V
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.