MICROCHIP
Диод 1N8160USE3
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS+FRD
- Peak pulse power dissipation
- 0.15 kW
- Max. off-state voltage
- 300 V
- Breakdown voltage
- 22.8 V
- Корпус
- QuadroMELF
- Монтаж
- SMD — поверхностный
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | 1N8160USE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS+FRD |
| Peak pulse power dissipation | 0.15 kW |
| Max. off-state voltage | 300 V |
| Breakdown voltage | 22.8 V |
| Корпус | QuadroMELF |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Ёмкость | 4 pF |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 0.15kW; 22.8V; unidirectional; Ch: 1; 4pF; -55÷175°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.