ONSEMI

Диод 1N5817G

1N5817G

Type of diode: Schottky rectifying
Монтаж: THT — в отверстия
Max. off-state voltage: 20 V
Load current: 1 A
Semiconductor structure: single diode
Корпус: CASE59

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	1N5817G
Производитель	ONSEMI
Type of diode	Schottky rectifying
Монтаж	THT — в отверстия
Max. off-state voltage	20 V
Load current	1 A
Semiconductor structure	single diode
Корпус	CASE59
Max. forward voltage	0.75 V
Max. forward impulse current	25 A

Исходное описание поставщика

Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; CASE59; Ufmax: 0.75V

Документация

Документы пока не предоставлены.