MICROCHIP
Диод 1N5809US
Фото уточняется
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Max. off-state voltage
- 0.1kV
- Load current
- 6A
- Reverse recovery time
- 30ns
- Semiconductor structure
- single diode
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | 1N5809US |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Max. off-state voltage | 0.1kV |
| Load current | 6A |
| Reverse recovery time | 30ns |
| Semiconductor structure | single diode |
| Ёмкость | 60pF |
| Корпус | MELF |
| Max. forward voltage | 0.875V |
| Max. load current | 6A |
| Max. forward impulse current | 125A |
| Leakage current | 5µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; SMD; 100V; 6A; 30ns; MELF; Ufmax: 875mV; Ifsm: 125A
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.