MICROCHIP TECHNOLOGY
Диод 1N5806USE3
Фото уточняется
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- SMD — поверхностный
- Max. off-state voltage
- 150V
- Load current
- 2.5A
- Reverse recovery time
- 25ns
- Semiconductor structure
- single diode
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | 1N5806USE3 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Max. off-state voltage | 150V |
| Load current | 2.5A |
| Reverse recovery time | 25ns |
| Semiconductor structure | single diode |
| Корпус | MELF |
| Max. forward voltage | 0.975V |
| Max. forward impulse current | 35A |
| Leakage current | 1µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; SMD; 150V; 2.5A; 25ns; MELF; Ufmax: 975mV; Ir: 1uA
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.