MICROCHIP

Диод 1N5806E3

ДиодИзображение корпуса

Type of diode: rectifying
Монтаж: THT — в отверстия
Max. off-state voltage: 150 V
Load current: 2.5 A
Semiconductor structure: single diode
Ёмкость: 25 pF

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	1N5806E3
Производитель	MICROCHIP
Type of diode	rectifying
Монтаж	THT — в отверстия
Max. off-state voltage	150 V
Load current	2.5 A
Semiconductor structure	single diode
Ёмкость	25 pF
Max. forward impulse current	35 A
Max. forward voltage	0.875 V
Max. load current	2.5 A
Leakage current	1 µA
Reverse recovery time	25ns

Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; THT; 150V; 2.5A; Ifsm: 35A; Ufmax: 875mV; Ir: 1uA

Документация

Документы пока не предоставлены.