MICROCHIP

Диод 1N5804E3

Фото уточняется

Type of diode: rectifying
Монтаж: THT — в отверстия
Max. off-state voltage: 0.1 kV
Load current: 2.5 A
Ёмкость: 25 pF
Max. forward impulse current: 35 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	1N5804E3
Производитель	MICROCHIP
Type of diode	rectifying
Монтаж	THT — в отверстия
Max. off-state voltage	0.1 kV
Load current	2.5 A
Ёмкость	25 pF
Max. forward impulse current	35 A
Max. forward voltage	0.875 V
Leakage current	1 µA
Reverse recovery time	25ns

Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; THT; 100V; 2.5A; Ifsm: 35A; Ufmax: 875mV; Ir: 1uA

Документация

Документы пока не предоставлены.