Антава

MICROCHIP

Диод 1N5660AE3

1N5660AE3
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
111 V
Breakdown voltage
124 V
Max. forward impulse current
8.4 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя1N5660AE3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage111 V
Breakdown voltage124 V
Max. forward impulse current8.4 A
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO13
МонтажTHT — в отверстия
Number of channels1
Рабочая температура-65...175 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 124V; 8.4A; unidirectional; DO13; Ch: 1; -65÷175°C

Документация

Документы пока не предоставлены.