MICROCHIP
Диод 1N5660A
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 1.5 kW
- Max. off-state voltage
- 111 V
- Breakdown voltage
- 130.5 V
- Max. forward impulse current
- 8.4 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | 1N5660A |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 1.5 kW |
| Max. off-state voltage | 111 V |
| Breakdown voltage | 130.5 V |
| Max. forward impulse current | 8.4 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Допуск | ±5% |
| Корпус | DO13 |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Leakage current | 5 µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 1.5kW; 130.5V; 8.4A; unidirectional; ±5%; DO13
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.