Антава

MICROCHIP

Диод 1N5610E3

Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
30.5 V
Breakdown voltage
33 V
Max. forward impulse current
32 A
Semiconductor structure
unidirectional
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя1N5610E3
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage30.5 V
Breakdown voltage33 V
Max. forward impulse current32 A
Semiconductor structureunidirectional
МонтажTHT — в отверстия
Leakage current5 µA
Number of channels1
Рабочая температура-55...175 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 33V; 32A; unidirectional; Ch: 1; -55÷175°C

Документация

Документы пока не предоставлены.