MICROCHIP

Диод 1N5550

Фото уточняется

Type of diode: rectifying
Монтаж: THT — в отверстия
Max. off-state voltage: 200 V
Load current: 9 A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 100 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	1N5550
Производитель	MICROCHIP
Type of diode	rectifying
Монтаж	THT — в отверстия
Max. off-state voltage	200 V
Load current	9 A
Semiconductor structure	single diode
Max. forward impulse current	100 A
Max. forward voltage	1.2 V
Max. load current	9 A
Leakage current	1 µA
Reverse recovery time	2µs

Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; THT; 200V; 9A; Ifsm: 100A; Ufmax: 1.2V; Ir: 1uA; 2us

Документация

Документы пока не предоставлены.