ONSEMI
Диод 1N5406G
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 0.6 kV
- Load current
- 3 A
- Semiconductor structure
- single diode
- Max. forward impulse current
- 200 A
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | 1N5406G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 0.6 kV |
| Load current | 3 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Max. forward impulse current | 200 A |
| Корпус | DO27 |
| Kind of package | bulk |
| Max. forward voltage | 1 V |
| Leakage current | 50 µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ifsm: 200A; DO27; bulk; Ufmax: 1V
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.