VISHAY
Диод 1N5060TAP
- Type of diode
- rectifying
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 0.4 kV
- Load current
- 2 A
- Semiconductor structure
- single diode
- Features of semiconductor devices
- avalanche breakdown effect, glass passivated
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | 1N5060TAP |
|---|---|
| Производитель | VISHAY |
| Type of diode | rectifying |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 0.4 kV |
| Load current | 2 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Features of semiconductor devices | avalanche breakdown effect, glass passivated |
| Ёмкость | 40 pF |
| Max. forward impulse current | 50 A |
| Корпус | SOD57 |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Max. forward voltage | 1.15 V |
| Leakage current | 0.1 mA |
| Reverse recovery time | 4µs |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ifsm: 50A; SOD57; Ammo Pack; 4us
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.