TAIWAN SEMICONDUCTOR
Диод 1N4448 A0
- Type of diode
- switching
- Монтаж
- THT — в отверстия
- Max. off-state voltage
- 0.1 kV
- Load current
- 0.15 A
- Semiconductor structure
- single diode
- Ёмкость
- 4 pF
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | 1N4448 A0 |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Type of diode | switching |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Max. off-state voltage | 0.1 kV |
| Load current | 0.15 A |
| Semiconductor structure | single diode |
| Ёмкость | 4 pF |
| Max. forward impulse current | 2 A |
| Корпус | DO35 |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Max. forward voltage | 1 V |
| Max. load current | 0.45 A |
| Reverse recovery time | 4ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: switching; THT; 100V; 0.15A; Ifsm: 2A; DO35; Ammo Pack; 4ns
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.