FUJI
Транзистор 1MBI200U4H-120L-50
62MMИзображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- diode/transistor
- Topology
- boost chopper
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 200 A
- Корпус
- 62MM
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | 1MBI200U4H-120L-50 |
|---|---|
| Производитель | FUJI |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | diode/transistor |
| Topology | boost chopper |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 200 A |
| Корпус | 62MM |
| Electrical mounting | FASTON connectors, screw |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 400 A |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; 62MM
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.