GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 18N20F

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Planar
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 35W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	18N20F
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	N-MOSFET
Technology	Planar
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	200V
Drain current	18A
Power dissipation	35W
Корпус	TO220F
Gate-source voltage	±20V
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	18nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Planar; unipolar; 200V; 18A; 35W; TO220F

Документация

Документы пока не предоставлены.