Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 18N10

18N10
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
35A
Power dissipation
80W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя18N10
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current35A
Power dissipation80W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 35A; 80W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.