Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 03N06L

03N06L
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
3 A
Power dissipation
1.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя03N06L
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current3 A
Power dissipation1.7 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.7W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.