Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор 03N06

03N06
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
3A
Power dissipation
1.7W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя03N06
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current3A
Power dissipation1.7W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge14.6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 3A; 1.7W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.