MICROCHIP
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: POWER MOS 7®, PT · Collector-emitter voltage: 900 V
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 57 | От 1 шт. | 1 375,39 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 11 375,39 ₽ от 31 239,11 ₽ от 301 133,31 ₽ Все цены с НДС 22% | 1 375,39 ₽с НДС 22% |
IXYS
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: GenX3™, Planar, XPT™ · Collector-emitter voltage: 1.2 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 18 | От 1 шт. | 6 109,45 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 16 109,45 ₽ от 35 503,35 ₽ от 104 859,59 ₽ от 304 379,01 ₽ Все цены с НДС 22% | 6 109,45 ₽с НДС 22% |
MICROCHIP
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: POWER MOS 7®, PT · Collector-emitter voltage: 1.2 kV
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 30 | От 1 шт. | 2 573,25 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 12 573,25 ₽ Все цены с НДС 22% | 2 573,25 ₽с НДС 22% |
BASIC SEMICONDUCTOR
Транзистор
Type of transistor: IGBT · Технология: Field Stop, SiC SBD, Trench · Collector-emitter voltage: 650 V
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 57 | От 1 шт. | 2 517,66 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 12 517,66 ₽ от 52 279,16 ₽ от 302 004,80 ₽ от 1501 680,23 ₽ от 6001 621,06 ₽ Все цены с НДС 22% | 2 517,66 ₽с НДС 22% |
| Срок поставки | Доступно, шт. | Заказ | Цена / шт. | Количество | Сумма | Действие |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Вариант поставки №16–7 недельДанные на | 28 | От 1 шт. | 1 848,80 ₽с НДС 22%Цены от количестваот 11 848,80 ₽ Все цены с НДС 22% | 1 848,80 ₽с НДС 22% |
Отправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.